什么是T3Ster 

    T3Ster ® [发音:tri-ster]  --- the Thermal Transient Tester:热瞬态测试仪,用于半导体器件的先进热特性测试仪,同时用于测试      IC、SoC、SIP、散热器、热管等的热特性。
     

    • T3Ster兼具JESD51-1定义的静态测试法(Static Mode)与动态测试法(Dynamic Mode),能够实时采集器件瞬态温度响应曲线(包括升温曲线与降温曲线),其采样率高达1微秒,测试延迟时间高达1微秒,结温分辨率高达0.01℃。


    • T3Ster既能测试稳态热阻,也能测试瞬态热阻抗。

     

    • T3Ster的研发者MicRed是JEDEC最新的结壳热阻(θjc)测试标准(JESD51-14)的制定者,T3Ster是目前全球唯一满足此标准的仪器。
     

    • T3Ster的测试方法符合IEC 60747系列标准。
     

    • T3Ster的研发者MicRed制定了全球第一个用于测试LED的国际标准JESD51-51,以及LED光热一体化的测试标准JESD51-52。T3Ster和TeraLED是目前全球唯一满足此标准所规定的光热一体化测试要求的。
     

    • T3Ster的测试方法符合MIL-STD-883H method 1012.1和MIL-750E 3100系列的要求。
     

    • T3Ster独创的Structure Function(结构函数)分析法,能够分析器件热传导路径上每层结构的热学性能(热阻和热容参数),构建器件等效热学模型,是器件封装工艺、可靠性试验、材料热特性以及接触热阻的强大支持工具。因此被誉为热测试中的“X射线”。
     

    • T3Ster可以和热仿真软件Flotherm,FloEFD无缝结合,将实际测试得到的器件热学参数导入仿真软件进行后续仿真优化。

     

    查看详细介绍请点击此处下载T3Ster.pdf

     

    T3Ster的应用范围及功能  

    应用范围:

    各种三极管、二极管等半导体分立器件,包括:常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件;

    各种复杂的IC以及MCM、SIP、SoC等新型结构 ;

    各种复杂的散热模组的热特性测试,如热管、风扇等。             

     

    功能:

    •  半导体器件结温测量;

    • 半导体器件稳态热阻及瞬态热阻抗测量;

    半导体器件封装内部结构分析,包括器件封装内部每层结构(芯片+焊接层+热沉等)的热阻和热容参数;

    半导体器件老化试验分析和封装缺陷诊断,帮助用户准确定位封装内部的缺陷结构。

    材料热特性测量(导热系数和比热容)

    接触热阻测量,包括导热胶、新型热接触材料的导热性能测试。

     

    测试方法——基于电学法的热瞬态测试技术

    测试方法——电学法

    寻找器件内部具有温度敏感特性的电学参数,通过测量该温度敏感参数(TSP)的变化来得到结温的变化。

    TSP的选择:一般选取器件内PN结的正向结电压。

    测试技术:热瞬态测试

    当器件的功率发生变化时,器件的结温会从一个热稳定状态变到另一个稳定状态,我们的仪器将会记录结温在这个过程中的瞬态变化曲线。

    一次测试,既可以得到稳态的结温热阻数据,也可以得到结温随着时间的瞬态变化曲线。

    瞬态温度响应曲线包含了热流传导路径中每层结构的详细热学信息(热阻和热容参数)。

     

    组件配置  

    热测试主机   

                 T3Ster热测试主机  

    计算机控制接口

     USB接口,满足数据传输提取方便的要求

     测试时间

    以分钟为单位计

     结温测试分辨率

     0.01℃

    最大加热时间

    不限

    最小测试延迟时间

    1us(用户可根据需要在软件中调节1us~10000s不限)

    RC网络模型级数

    2-100个

     

    功率输出模块

     

    加热电流源

    -2A~2A

    加热电压源

    -10V~10V

    测试电流源(4路)

    -25mA~25mA 

     

    数据采集模块及控制模块

    最小测试延迟时间(tMD

    1µs

    最小采样时间间隔(ts

    1µs

    每倍频采样点数

    400个(典型值)

    最大采样点数

    65000个

    测量通道

    2个(最大可扩展至8个)

    电压变化测量档位

    400mv/200mv/100mv/50mv

    电压测量分辨率

    12μV(以50mV量程计算)

     

    温度控制设备  

    T3Ster为客户提供了三种温度可控的恒温设备,包括:干式温控仪、湿式温控仪以及液冷板。这三种恒温设备除了能控制待测器件的温度以测试器件的K系数,同时还能作为结温热阻测试时器件的散热环境,帮助控制器件的壳温。

    干式温控仪

    干式温控仪采用热电致冷芯片(Peltier单体)来控制器件的温度。

     

    计算机控制接口

    COM

    恒温槽尺寸

    52*52*10 mm3

    温度控制范围

    5 - 90 oC

    温度控制精度

    ± 0.2 oC

    温度过载保护

    95 oC

    散热功率

    8W

                                               T3Ster干式温控仪

     

    湿式温控仪

    湿式温控仪采用油浴的方式来控制待测器件的温度,使用时将待测器件浸没在液体中以获得恒温环境。此外T3Ster提供的湿式温控仪还可以作为一个动力泵,驱动外接的液冷板以控制液冷板的温度。

     

    型号

    温度范围(℃)

    温度稳定性(℃)

    加热功率(KW)

    制冷功率

    20℃(KW)

    油槽尺寸

    (W×L/D cm)

    F25-HE

    -28~200

    ±0.01

    2

    0.26

    12×14/14

    F32-HE

    -35~200

    ±0.01

    2

    0.45

    18×12/15

    F34-HE

    -30~150

    ±0.01

    2

    0.45

    24×30/15

     

                                                                 

      液冷板

       液冷板的作用:与湿式温控仪配套使用,可以控制冷板的温度,为测试器件的结温、热阻提供恒定的温度环境。

    (1)外观尺寸:550*160*110 mm;

    (2)单板尺寸:540*140*20 mm;       

    (3)材质:硬级铝;

                                             T3Ster湿式温控仪

     

     

    T3Ster液冷夹具

    (1) 和T3Ster湿式温控仪配套使用,利用液冷的方式来控制待测器件的壳温,并配以气动压紧装置。

    (2) 散热冷板材质:铜。

    (3) 有效散热面积:210mm*210mm

    (4) 配备平底器件以及TO封装器件(包括TO-3)的测试夹具。

     

    T3Ster-Gold ref/热测试仪校正样品(Golden Reference) 

         性能稳定的半导体器件,方便用户定期检测测试主机的功能是否正常。

     

        标准静止空气箱(still-air chamber)

    1)满足JEDEC JESD 51-2要求

    2)尺寸:1立方英尺

                                                 

     

        热电偶前置放大器

    1)方便T3Ster主机与J, K或 T 型热电偶的联接。 

    2)T3Ster主机可以方便地测试热电偶接触点的温度随着时间变化的曲线。

                                            

     

     

     大功率BOOSTER 

     

    高电流模式

    单通道

    38A/40V

    50A/30V

    200A/7V

    测试电流:0~200mA 测试电流:0~200mA

    测试电流:0~500mA

       

    栅极电压源:15V

    双通道

    38A/40V

    50A/30V [1]

     

    三通道

     

     

    200A/7V [2]

     

     注解:【1】通过双通道并联,输出电流最高可达100A

                【2】通过三通道并联,输出电流最高可达600A

                                 
    单通道高电流booster  双通道高电流booster

                                                                             

    高电压模式

    单通道

    10A/100V

    10A/150V

    10A/280V

    测试电流:0~200mA 测试电流:0~200mA

    测试电流:0~200mA

    双通道

     

    10A/150V

    10A/280V

                                           

     

                单通道高电压booster                                                                                     双通道高电压booster

     

     TeraLED

    1)完全符合CIE 127-2007关于LED光测试的要求。

    2)配合T3Ster可以满足JESD 51-52规定的LED光热一体化测试的要求。

    3)整套系统包括:Φ300mm或Φ500mm积分球1个,参考LED1个,多功能光度探头1个,TERALED控制系统1套,恒温基座1个。

    T3Ster TeraLED

     

     

    4)测试功能:

    (1)测试LED基于热功率的真实热阻;

    (2)测试不同的电流与结温下的

              a)、二极管的伏安特性;

              b)、光功率(mW);

              c)、光通量(lm)(包括明视觉光通量和暗视觉光通量);

              d)、流明效率(lm/W);

              e)、色坐标(X,Y,Z三刺激值);

              f)、色温。

     

    数据分析软件(T3Ster Master)

    数据分析软件T3SterMaster提供了数据的分析功能,几秒钟内,软件就可以将采集的数据以结构函数的形式表现出来。测试结果包括:测量参数(Record Parameters),测量得到的瞬态温度响应曲线(Measured response),分析后的瞬态温度响应曲线(Smoothed response),热阻抗曲线(Zth),时间常数谱(Tau Intensity),频域分析(Complex Locus),脉冲热阻(Pulse Thermal Resistance),积分结构函数以及微分结构函数。

     

    (1)测试参数(Record Parameter)

    详细记录了每次测试的测试参数,包括加热功率,待测器件的k系数,测试时间以及测试通道等。

                        

    (2)瞬态温度响应曲线

     

    横坐标为时间,纵坐标为结温的改变,详细记录了结温随着时间瞬态变化的曲线。从该图可以得到待测器件在达到热稳定状态时结温的变化量。

     

    (3)热阻抗曲线

     

    将瞬态温度响应曲线对加热功率进行归一化即可得到热阻抗曲线。横坐标为时间,纵坐标为热阻抗。可以从图中读出某一时刻的热阻抗以及达到热稳定状态后的总热阻。

     

    (4)频域响应(Complex Locus)

     

    图中横坐标为实部,表示幅值的改变,纵坐标为虚部,表示相位的变化。如图所示,在不同的频率下,其热阻值和相位延迟是不同的。

    该特性主要用于高频器件的设计优化过程,可研究器件在各种不同频率情况下的热性能。当输入的功率信号为Asin(ωt+Ф)时,器件结温的升高不仅受幅值A的影响,还和输入功率的频率ω有关。由于热容的存在,温度变化的最大值和功率的最大值是不同步的,他们之间会存在一个相位延迟△Ф。而且同一个功率值在高频工况下对器件造成的温升比低频工况下造成的温升低,这是由于在高频条件下,热量被更多地储存在芯片附近的热容层,并没有往外耗散。因此频域分析对于高频器件的设计优化非常有用。

     

    (5)脉冲热阻(Pulse Thermal Resistance)

    该功能描述的是器件工作在脉冲方波情况下的热学特性。横坐标是脉冲宽度(s),纵坐标是脉冲热阻值(℃/W)。器件工作在脉冲方波情况下,其热阻值与脉冲宽度和占空比有关。

    (6)积分结构函数与微分结构函数

                   

     

    通过积分结构函数和微分结构函数可以分析热传导路径上每层结构的热阻以及热容信息,构建器件等效热学模型,作为器件封装工艺、可靠性试验、材料热特性以及接触热阻的强大支持工具。

    (7)RC网络模型

    用户可根据实际需求在分析软件中选择RC模型的级数或者选择软件默认的全部RC模型级数,RC模型级数:2-100个,并将分析得到的RC数值保存在测试文件中。

    软件会给出根据RC模型得到的瞬态热阻抗曲线与实测瞬态热阻抗曲线的对比。

     

    T3Ster的工作原理(硬件实时采集+结构函数分析)

    测试K系数:建立结温与电压之间的关系

    在器件本身的自发热(self-heating)可以忽略的情况下,将器件置于温度可控的恒温环境中,改变环境温度,测量TSP。得到一条校准曲线。该直线的斜率即为k系数。

     

     

                                                           

     

    在接下来的过程中,测量得到的电压变化值乘以k值即为结温变化量。

     

    热测试

      常规测试步骤

    1.  通入工作电流,使结温升高达到饱和。

    2、进行工作电流到测量电流的高速切换。(1us)

    3、在结温下降过程中,实时采样pn结电压,再通过K系数得到pn结点的降温曲线,采样间隔最快为1us。

    T3Ster硬件的技术优势

    A. 先进的静态实时测试方法

    T3Ster兼具JESD51-1规定的的静态测试法(static mode)和动态测试法(dynamic mode),但是静态测试法更先进,更高端,因此我们推荐用户采用静态测试法。静态测试法可以实时地采集待测器件的结温随着时间的变化,而动态测试法是通过人为构建脉冲加热功率来模拟瞬态过程,并非器件实际的瞬态温度响应。静态法的测试时间短、测试数据点密而且测试数据的信噪比更高。

    B. 测试启动时间高达1us,保证了测试结果的准确性

    研究表明,在测试中如果瞬态变化最初1ms时间内的温度没有被采集到,最终的热阻值将被低估10%-15%左右。

    C、实时采样时间间隔高达1us,采样点数最多65000点,保证了数据的完备性

     

     

    结构函数

    硬件采集完毕后,通过数据分析软件,帮助用户得到可以直接分析器件内部结构的结构函数。

    结构函数:将器件封装结构可视化的函数。方便用户进行热传导路径上各种结构的分层、进行结构分析。

    1)如何利用结构函数识别器件的结构



    2) 利用结构函数识别器件封装内部的“缺陷”

    当器件某个结构或接触发生变化时,我们可以通过对比试验清晰地看到

    利用结构函数可以帮助用户识别器件内部的缺陷,并能定量得到该缺陷引起的热阻变化。

    查看详细介绍请点击此处下载T3Ster.pdf

     

    T3Ster的应用案例

      测量结壳热阻(junction-to-case thermal resistance)(JEDEC 组织2010年11月公布最新测试标准JESD 51-14) 

    JEDEC(国际固态技术协会)于2011年11月正式通过并颁布了由T3Ster研

    发团队提交的基于热瞬态测试技术和结构函数分析法的最新结壳热阻测试标

    准。与传统的测试方法相比,最新的热瞬态测试界面法(Transient Dual

    Interface)具有更高的准确性和可重复性,而T3Ster是目前唯一满足此标准

    的商业化产品。通过这种高重复性的方法,可以方便地比较各种器件的结壳

    热阻,而且这种方法同样适用于热界面材料(TIMs)的热特性表征。

    第一次测量:直接将器件干接触到热沉上;

    第二次测量:在器件和热沉之间放置一个分离层。

    由于两次散热路径的改变仅仅发生在器件封装壳

    (Case)之外,因此结构函数上两次测量的分界

    处就代表了器件的壳。

        

      封装结构的质量检查

    利用结构函数可以非破坏性测量器件中固晶层的热阻这一特点,在实际应用中可以用来实现:
     1) 结构无损检测;
     2) 封装材料和工艺优化;
     3) 器件可靠性筛选
     
      结构无损检测        

    ST Microelectronics公司利用T3Ster瞬态测量的方法成功测量出了固晶层(Die attach)的缺陷,而且测试结果也得到了超声显微图像的验证。
    ST将同样的芯片通过三种不同的工艺焊接到金属层上,通过T3Ster的无损检测,成功测试除了三种不同焊接结构的热阻。
     
    通过对比的方法,T3Ster的测试结果不仅可以定性地找出存在缺陷的结构,而且还能定量得到缺陷引起的热阻的变化量。

    由于三次测试的芯片是一样的,

    因此在结构函数中表征芯片部分

    的曲线是完全重合在一起的。随

    着die attach完好、边角存在空洞

    以及中心存在空洞,该结构层的

    热阻逐渐变大。这是由于空洞阻

    塞了有效的散热通道造成的。

     

      失效分析 (BJT器件)



     

      老化试验表征手段

    通过T3Ster强大的结构函数分析功能,不仅能够分析老化前后总热阻的变化量,还可以得到每层结构的热阻变化,从而为分析老化机理提供数据。

     
    老化方法:
    周期性温度变化
    湿度条件
     
    试验方法:
    利用T3Ster进行热瞬态测试
     
    分析方法:
    利用T3Ster Master 分析软件提供的结构函数进行分析
     
    从芯片后波峰的移动可以清晰地看出由于老化造成的分层(delamination),导致了芯片粘结层(Die attach)的热阻增大。
     
      

      利用T3Ster研究新型微通道散热结构Micro-channel cooler

    改变微通道散热结构中的流体流速

    利用T3Ster测试每种流速下的结构函数进行比较分析

     
    T3Ster 测试结果
    流量计测试结果

    T3Ster 测试结果与热通量感应器所得到的结果是相互吻合的,即微通道结构中流体的流速越大, 其散热性能越好。

     

      提供器件的热学模型

    T3Ster的测试结果可以直接导入到FloTHERM软件进行后期系统散热分析。

      仿真模型的验证 

          验证模型

            包括材料热学性能的验证

     

      接触热阻的测量
    随着半导体制造技术的不断成熟,热界面材料(TIM)的热性能已经成为制约高性能封装产品
    的瓶颈。接触热阻的大小与材料、接触质量是息息相关的。

    采用T3Ster,可以快速准确地测试各种接触热阻:
         导热胶;
         导热垫片;
        螺钉连接;
        干接触。


    NANOPACK FP7与欧盟(9M EUR)的合作项目:利用T3Ster测量接触热阻和热界面材料


    实验设计:在器件和热沉之间放置不同的界面材料,并施以不同的力,用T3Ster测试其接触热阻的大小。

    结论:接触热阻的大小不仅与接触材料有关,还与接触的质量有关。接触材料的导热系数越大,接触热阻越小。接触质量越好,接触热阻越小。

     热阻矩阵——利用T3Ster研究多芯片热学性能

    通过热阻矩阵,可以方便地研究多芯片的热学性能,不仅考虑某个芯片对于外部环境的自热阻,还考虑芯片之间的耦合热阻。热阻矩阵的元素通过下面的方法获得:

    在某个芯片处施加功率

    测量所有芯片处的温度

    再用1W的功率进行归一化

     T3Ster 在功率半导体器件领域的应用

      英飞凌利用T3Ster,按照JESD51-14测试其MOSFET器件的结壳热阻

    产品型号:SPP80N06S2L-11 TO封装  

     测试结果:

             器件在两种不同的散热环境下结温随着时间的变化曲线

                   器件在两种不同的散热环境下的微分结构函数

    英英英飞凌是T3Ster 的战略合作伙伴,共同制定了全新的结壳热阻测试标准JESD51-14。通过T3Ster,不仅可以测试器件的结壳热阻,还可以通过结构函数分析器件热传导路径上各层结构的热阻值。

      三星电子利用T3Ster测试其IGBT模组的热特性 (返回顶部↑) 

        

     1) 测试装置:

                  

     

     2)测试结果:

    IGBT 模组在两种散热环境下的结温变化曲线

    通过结构函数分析IGBT的热传导路径

    IGBT模组作为超大功率半导体器件,T3Ster为其提供了完整的测试方案,包括双层散热液冷板、大功率的Booster等。

              T3Ster在LED领域的应用

    伴随着LED的功率越来越大,合理有效的热管理也变得越来越重要。因为LED的结温直接影响其光学性能和寿命。

      如图所示,对于LED产品来说,如果不考虑光功率的影响,其热阻值RthJA会随着环境温度和驱动电流的不同变化而不同,这显然是不符合物理实际的。
      因此,对于LED的热阻定义,必须考虑其光输出的影响。  
     
                                                     
    因此T3Ster专门为LED产业开发了实现LED光热一体化测量的TERALED:ThErmal and RAdiometric Measurement of power LEDs。

     Teraled 与T3Ster 能够实现JESD 51-52 规定的光热一体化测试要求
     
      Lumileds 利用T3Ster 分析其产品的散热结构
     
    利用T3Ster提供的结构函数分析功能,可以得到:
    a、LED在该环境下的总热阻;
    b、LED内部各层结构的热阻(包括热界面材料的接触热阻)。

     
     LED灯具测量
     
     研究对象: LED灯具选择两种不同材质的转接头的散热性能比较,其中一个是采用金属材料的转接头,另一个是采用塑料材质的转接头。

     
       灯具一:金属转接头                   
      
     灯具二:塑料转接头
     
     • 研究方法:
    将LED灯具放置到JEDEC规定的一立方英尺的标准静止空气箱中,有利用T3Ster进行热瞬态测试。
     
    结果分析:

    利用T3Ster进行结果分析:

    a. 得到两种散热条件下该LED灯具到周围环境的热阻Rja;
    b. 通过结构函数可以清晰地看到由于散热器引起的热阻的差异;
    c. 同一种结构的测量重复性非常好。
     
    本案例表明,采用不同材质的转接头对灯具散热效果影响很小,批量制造可以选择价格便宜的塑料材质作为转接头。
     
      LED模组的热测量
     
    研究对象:由八十个LED组成的LED模组,十个串联为一组,共八组。

     
     研究方法:利用T3Ster配置的选配件T3Ster Booster来驱动该LED模组。

     
        加热状态:
    35V @ 2A
    加热电流
                                         测量状态:35V @ 350mA测量电流 
     

     测试结果:

     

     光热一体化测试结果

    通过T3Ster 与TeraLED 的光热一体化测试,可以帮助用户分析LED的各项光电色参数与驱动电流、结温等的关系,包括

      二极管的伏安特性;

     光功率(mW);

     光通量(lm)(包括明视觉光通量和暗视觉光通量);

      流明效率(lm/W);

      色坐标(X、Y、Z三刺激值)

      色温。

     

     

       热界面材料(TIM)的测量——DynTIM:

          DynTIM能够模拟真实的电子散热环境,衡量热界面材料在不同压力的条件下的散热性能,方便封装工程师根据实际应用情况选择合适的热界面材料。

          DynTIM能够测试热界面材料的导热系数。(可测试材料包括:导热硅脂,黏合剂,间隙填充材料,导热垫以及部分刚性材料)。

          DynTIM可以自动设置材料的压紧厚度,提高测试精度。

          DynTIM可以进行材料的老化研究。

       

    DynTIM

    DynTIM的技术参数:

    •  相对测试精度:5%

    •  厚度设置精度:1um

    •  内置5A电流源,不需要Booster

    •  每种样品测试时间:大约20分钟

    •  自动测试压缩性材料的特性

    •  可以测试不同环境温度下的材料特性

    利用T3Ster结合DyTIM测试热界面材料的推荐配置

    实验室同时拥有T3Ser和DynTIM的益处:

    •  DynTIM结合T3Ster可以精确地测试材料的导热系数

    1)帮助用户选择合适的热界面材料,以降低成本

    2)帮助用户在模拟软件中建立更加准确的热学模型,以获得更精确的仿真结果

     

    •  热界面材料在真实环境中的性能会有所不同

    1)用户在选择了导热系数合适的材料后,可以使用T3Ster验证该材料在实际应用环境下的真实热性能

    2)用户通过T3Ster和DynTIM的完整表征系统,确保做出最佳的选择

    热界面材料 不同厚度下引起的温度变化

    热界面材料在不同厚度下的热学性能

      

    通过改变热界面材料的厚度,可以有效地屏蔽接触热阻对测试结果的影响。

     

     

    T3Ster 瞬态热测试仪帮助设计和制造高性能 LED

    当 LED 灯功耗越来越大,就更应该关注其散热问题, 因为其对 LED 灯的性能和使用寿

    命至关重要。这就是为什么OSRAM 一直致力于LED 灯的散热设计。T3Ster的测量精确

    性和可重复性可以用于验证OSRAM 的设计以及产品的可靠性。T3Ster内部的结构函数在

    OSRAM 进行可靠性测试不同热问题时特别有用。

        成功案例下载

     

     

    T3ster国内部分客户

    中国科学院半导体研究所

    中国科学院电工所

    中国计量科学研究院(NIM)

    中国科学院上海技术物理研究所常州分所

    (常州光电技术研究院)

    中国空间技术研究院器件可靠性中心(511)

    中国空间技术研究院总体部(501)

    中国空间技术研究院西安分院(504)

    中国航天科工集团北京无线电测量研究所

    (航天二院23所)

    北京微电子研究所(航天772研究所)

    北京航天控制仪器研究所

    工业和信息化部电子工业标准化研究院
    (电子四所)

    工业和信息化部电子第五研究所

    中国电子科技集团第十研究所

    中国电子科技集团第十三研究所

    中国电子科技集团第五十八研究所

    (无锡微电子科研中心)

    国家半导体器件质量监督检验中心

    (潍坊半导体照明产品检测中心)

    国家半导体发光器件应用产品质量监督检验中心
    (厦门质检所)

    国家半导体照明产品质量监督检验中心
    (常州质检所)

    广东省半导体照明产业联合创新中心

    济宁国家半导体及显示产品质量监督检测中心

    贵州省机械电子产品质量监督检验院

    (国家电子基础元器件质量监督检验中心)

    广东省东莞市质量监督检测中心

    佛山市香港科技大学LED-FPD工程技术研究开发中心

     

     

     

     

     

     

     

     

    香港应用技术研究院(ASTRI)

    上海大学

    复旦大学

    中国计量学院

    厦门大学

    厦门理工学院

    华中科技大学(武汉光电国家实验室)

    桂林电子科技大学

    深圳大学

    香港大学

    香港科技大学

    香港城市大学

    中国南车集团

    上海亚明照明

    三安光电

    德豪润达

    深圳天电光电

    华为技术公司(HUAWEI)

    欧普照明股份有限公司

    广州市鸿利光电股份有限公司

    深圳瑞丰光电

    Philips上海研发中心

    Lumileds上海研发中心

    三星电子南京研发中心

    三星电子广州研发中心

    LG中国研发中心

    上海汉高(Ablestik部门)

    (注:汉高公司的Ablestik系列产品是世界
                领先的自填充晶圆黏结剂)

    苏州硅能半导体科技股份有限公司

    陕西唐华能源有限公司

    大洋电机新动力科技有限公司

    华进半导体封装先导技术研发中心有限公司NCAP

    成都先进功率半导体股份有限公司

    深圳市振华微电子有限公司

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     



         

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