JEDEC公布基于T3Ster测试技术的最新热测试标准
日期:2011-04-01
JEDEC(固态技术协会——一个致力于制定微电子产业标准的组织)于近日颁布了基于瞬态热测试方法的最新热测试方法。这份标准是在2005年MicReD团队和英飞凌公司发布的原始文献的基础上形成的。
这份最新的JEDEC标准对于包括电子、功率半导体器件在内的许多产业的终端用户都非常有用。到目前为止,MicReD团队研发的T3Ster®热瞬态测试仪及其相关的分析软件是唯一完全满足最新的JESD51-14标准的产品,并且能够提供测量需要的高精度。
关于JEDEC标准
JEDEC JC15委员会在对半导体封装器件的热学表征技术进行了深入而广泛地研究讨论之后,通过了针对功率型半导体器件的结壳热阻(junction-to-case)的热瞬态测试方法。与传统的稳态测量方法相比,这种新的测试方法具有更高的测试精度和重复性。
最新公布的JESD51-14标准命名为“Transient Dual Interface Test Method for the Measurement of the Thermal Resistance Junction-to-case of semiconductor Devices with Heat Flow through a Single Path”(用于测试具有单一热传导路径的半导体器件结壳热阻的瞬态热测试界面法)。该标准所使用的方法同样适用于表征热界面材料(TIMs)的热特性。
这个新的测试方法经过了几个JEDEC JC15 委员会组织的广泛研究和完善,并通过了五个积极推动热测试标准进程的会员组织的热测试实验室的循环测试认证。
由Dirk Schweitzer和Heinz Pape领导的英飞凌热专家组,在他们最近公布的技术文献中系统地总结了最新的瞬态热测试界面法,相关研究成果将发表在2011年3月20日-24日举办的IEEE SEMI-THERM 热测试、热仿真、热管理讨论会的,报告名称为“For the target group of power packages with a single heat-flow path, the new JEDEC standard should now provide a reliable and reproducible method of determine the Rth-JC.”(JEDEC最近公布的结壳热阻测量方法为单一热传导路径的功率型封装器件提供了一种高稳定性和高重复性的测量方法)。TDI ( Transient Dual interfaces:瞬态热测试界面法 ) 所阐述测试方法的高重复性可以公平地比较不同供应商生产器件的结壳热阻。
关于T3Ster
T3ster运用JEDEC测试方法(JESD51-1)中先进的实时采样静态测试方法(Static Method), 广泛用于测试各类IC(包括二极管、三极管、MOSFET、SOC、SIP、MEMS等)、大功率LED、导热材料、散热器、热管等的热阻、热容及导热系数、接触热阻等热特性。配合专为LED产业开发的选配件TERALED可以实现LED器件和组件的光热一体化测量。
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