通过热测试可以获得IC、功率电子器件等复杂结构内的缺陷及失效模式等特征，因为这些结构往往温度分布不均，会产生局部过热区域。而使用最新的Microsanj反射率热成像系技术，我们可以进一步地观察到IC随着复杂启动序列的加热过程，最终形成一系列随时间变化的二维温度图。反射率热成像系统具有极高的空间分辨率，这一点是传统的红外热成像和液晶热成像所无法达到的。即使配备一个仅有5×放大系数物镜的显微系统，观测视野也可以达到2.5mm×2.5mm，分辨率达到2.4um/像素。文中我们利用反射率热成像系统观察到了复杂IC随着功率驱动而发热的瞬态过程，根据载荷随着时间的变化规律，这些瞬态热图像能够帮助我们准确定位了局部热点。当系统采集到异常电信号时，可以利用瞬态热学信息准确定位潜在缺陷（即使是缺陷非常小的事情）的位置。文中也展示了利用反射率热成像系统的高时间分辨率获得的瞬态温度曲线，结合T3Ster的反卷积分析方法，得出结构函数来分析芯片内部的结构信息。

请点击附件通读全文，如需了解产品Microsanj，请点击以下链接：http://www.simu-cad.com/product-435.aspx