美国空军研究实验室利用Microsanj反射率热成像系统研究GaN HEMT器件的热特性

日期:2014-07-08

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美国空军研究实验室与加州大学圣克鲁兹分校,普渡大学Birck纳米技术中心合作,利用Microsanj反射

率热成像系统研究GaN HEMT器件的热特性。

在实验中,研究人员利用具有亚微米空间分辨率的反射率热成像系统研究双指电极结构的AlGaN/GaN

HEMT器件在不同偏压下的发热情况。研究表明,在各种不同的偏压条件下,HEMT器件双指电极之间的发

热都是不均匀的。而且随着沟道电压的升高,这种不均匀会表现得越发明显。实验结果充分表明在研究

GaN HEMT器件的发热现象中,反射率热成像技术具有高空间分辨率(nm级别)以及高时间分辨率(ns级

别)的显著优势。

 

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