高速半导体器件的热成像分析设备——NT410A
日期：2014-10-10
高速半导体器件的热成像分析
先进的皮秒时间分辨率成像
先进的皮秒时间分辨率成像
在热分析仪发展史上，Microsanj反射率热成像系统NT410A极具里程碑的意义，它能够满足绝大多数复杂的高性能微电子器件的测试要求，具备了800皮秒的时间分辨率、亚微米级的空间分辨率、1摄氏度的相对温度分辨率以及百万像素级的全场热成像技术，同时NT410A能够获取器件随时间变化的热性能数据，这是迄今为止，市面上其它设备难以实现的。这些数据可以帮助设计师们确定器件的长期可靠性和超快逻辑器件、快速脉冲雷达组件以及其他高速半导体器件的优化设计。
NT410A作为Microsanj系列产品中最先进的热成像设备，结合了正面热成像及“穿透衬底”的倒装热成像功能，可用于分析当今市场上绝大多数先进的高性能半导体器件的热行为。
———— Microsanj 首席执行官 Mo Shakouri博士
在2014年10月20日，加利福利亚洲，IEEE 复合半导体集成电路会议（CSICS) 上将会发表一篇论文，是关于NT410A的亚纳米级时间分辨率可以应用于高功率氮化镓晶体管的超快热成像。
《利用超快反射率瞬态热成像技术与微拉曼技术表征功率GaN HEMT器件的热特性》
《利用超快反射率瞬态热成像技术与微拉曼技术表征功率GaN HEMT器件的热特性》
现在您就可以点击右侧链接下载该论文：http://simu-cad.com/down-1677.aspx
Microsanj 公司宣传视频： http://v.youku.com/v_show/id_XNzk5ODM5NzI4.html
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上海坤道信息技术有限公司
电话：021-62157100 邮件：marketing@simu-cad.com
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