IGBT作为一个复杂的功率器件，器件规格书中提供了大量的信息，需要我们选取与热设计相关的参数。

1. 封装内的管数，这是说明整个封装内的诸多芯片是分为几组工作的。

前面《IGBT简介与仿真建模》中提到，IGBT最好参考芯片布局图，按照芯片的实际尺寸和位置建立模型。但是芯片并不总是孤立工作，特别是大电流模块，往往是几个芯片并联工作。低频瞬态运行时，需要确定芯片的并联关系，即，哪几个芯片是一起工作的，这样设置瞬态函数时才不会出错。此外，确定并联关系后，也方便计算结壳温差。

一般的生产厂商会以产品命名规则标明封装内还有几个管。比如英飞凌的产品，FF450R12ME3，说明封装内有两管。如果不熟悉命名规则，也没关系，产品规格书中会有电路图，下图代表封装内有两个IGBT和两个Diode。

2.结温：规格书中的结温是约定器件最高工作温度的，也是应力降额规范的参考温度。通过这些数值确定我们的设计目标。

表中Tvj max代表最高结温，Tvj op代表导通状态的运行结温。不同产品类型的降额规范，对于结温选择会有不同，需要加以甄别。

3.热阻:主要用于计算结壳温升。这里需要说明的是，由于IGBT模块含有多种芯片，因此计算结壳温差时，需要注意热功率与热阻的对应性。如下表，IGBT的结壳热阻，指的是一个管的热阻。壳到散热器的热阻有三个，分别是每个IGBT、每个Diode和整个模块三种，它们都是硅脂导热系数为1W/mK条件下的数值，可根据实际硅脂的导热系数调整。

4.瞬态阻抗曲线

《IGBT简介与仿真建模》曾简单的画了IGBT的热路图（Foster模型），在瞬态损耗工况下，IGBT和Diode四层结构的阻抗曲线如下。由C=τ/R，可以轻松的计算出每层结构的热容值。

另外，根据曲线可知，若瞬态功耗持续时长超过0.5s，可认为阻抗稳定，即结壳之间的温差稳定，此时可以不考虑IGBT的热容。

5.NTC参数：用于计算温度与电阻的对照关系。表中，Tc为25℃时的典型阻值为5kΩ，B值为3375，则

这样，我们可以借助上述算式，利用测得的电阻值，计算NTC的温度，值得注意的是，NTC的温度，并不是IGBT的芯片温度，它距离芯片会有一段距离，一般来说， NTC的温度更接近于IGBT的壳温。

以上是基于热设计工程师角度，需要读取的器件参数。当然Eon，Eoff等也与热设计相关，它们是计算热损耗不可缺少的参数，但大多数情况，热损耗数据是硬件工程师提供，另外它还跟很多电气参数有关。所以此处就不多讲了。