随着器件封装尺寸不断缩小和功率密度不断增加，器件发热密度大幅上升，热问题更加严重。而热问题与系统可靠性、使用寿命和性能紧密联系，其重要性不言而喻。因此，对于元器件供应商、系统供应商和OEM 而言，对这些器件进行热测试是必不可少的。

       Simcenter T3STER SI通过非破坏性地测试封装好的半导体器件的电压随着时间的瞬态变化，快速地获得准确的、重复性高的结温热阻数据以及结构内部信息，高效地为新产品研发和改进提供数据支撑，加速产品研发进程，为产品的质量和可靠性保驾护航。

       在5月30日举办的微课中，MicRed资深应用工程师王力为我们带来了关于T3STER SI热瞬态测试技术的深入探讨。

议题回顾

1. 基于电学法的热瞬态测试技术的原理

2. 结构函数的原理

3. 热瞬态测试技术的应用案例：

    A. 提供准确详细的热表征数据

    B. 质量分析

    C. 可靠性研究

    D. 接触热阻研究

    E. 校准仿真模型

直播回放

在5月30日举办的微课中，MicRed资深应用工程师王力为我们带来了关于T3STER SI热瞬态测试技术的深入探讨。

对于错过了直播的朋友，或者希望再次学习的观众，欢迎通过以下方式观看回放，下载相关课件资料，获取更多有价值的信息。

打开链接或扫描二维码观看直播回放

https://m.qlchat.com/wechat/page/topic-intro?topicId=2000022256861494

下载课件资料

http://www.simu-cad.com/down-1920.aspx

主讲人 | 王力

MicRed资深应用工程师

上海坤道MicRed 资深应用工程师,中山大学硕士。先后支持或服务过工信部电子五所、中国电子技术标准化研究院、复旦大学、上汽集团、博世汽车等客户，熟悉LED/DIODE/MOSFET/IGBT/IC 等产品的热阻测试与功率循环测试，深受客户认可。

欢迎关注 上海坤道 SimuCAD 公众号，我们将为您带来最新产品资讯和专业的解决方案。

        联系我们：

        电话：021-62157100

        邮箱：marketing@simu-cad.com

        官网：http://www.simu-cad.com

        哔哩哔哩：上海坤道SIMUCAD