【直播预告】T3STER SI:基于电学法的热瞬态测试技术及其在半导体器件热表征中的应用

日期:2024-05-22

尊敬的客户,

 

       随着器件封装尺寸不断缩小和功率密度不断增加,器件发热密度大幅上升,热问题更加严重。而热问题与系统可靠性、使用寿命和性能紧密联系,其重要性不言而喻。因此,对于元器件供应商、系统供应商和OEM 而言,对这些器件进行热测试是必不可少的。

 

       Simcenter T3STER SI通过非破坏性地测试封装好的半导体器件的电压随着时间的瞬态变化,快速地获得准确的、重复性高的结温热阻数据以及结构内部信息,高效地为新产品研发和改进提供数据支撑,加速产品研发进程,为产品的质量和可靠性保驾护航。

 

       5月30日14:00-14:40,上海坤道将为大家带来微课系列第1期,主题为【基于电学法的热瞬态测试技术及其在半导体器件热表征中的应用】,在此诚挚邀请您的参加。

 

       本次会议,上海坤道MicRed 资深应用工程师王力将与您线上分享:

 

1. 基于电学法的热瞬态测试技术的原理

2. 结构函数的原理

3. 热瞬态测试技术的应用案例:

   

    A. 提供准确详细的热表征数据

    B. 质量分析

    C. 可靠性研究

    D. 接触热阻研究

    E. 校准仿真模型

 

       除了专业知识的精彩分享,上海坤道也为您精心准备了惊喜礼品,参会即有机会赢取哦!相信您一定会有所收获。同时,会中设有问答环节,欢迎您进行提问。

 

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       期待您的参加!

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